Contact
- Henri Happy
- Virginie Hoël
- Jacques Degauque (AIME Toulouse)
Cet outil de simulation permet d’aborder la modélisation physique et technologique (gravure, dépôt, implantation ionique, diffusion, oxydation, épitaxie…) des composants à base de matériaux semi-conducteurs.
Sur la base de cet outil, de nombreux travaux pratiques sont proposés aux étudiants :
- Simulation (électrique et/ou technologique) d'une jonction: Jonction PN, Jonction Schottky
- Simulation (électrique et/ou technologique) d'une capacité MOS
- Simulation (électrique et/ou technologique) d'un transistor MOS
- Simulation mixte (technologie/circuit) de dispositifs (cellule CMOS, oscillateur…)
- Simulation d'un transistor MESFET sur substrat GaAs
Méthodologie
1ère phase :
- Familiarisation avec l’outil logiciel SILVACO
- Validation de la programmation à l’aide de briques de bases
- Simulation électrique d'une structure idéale d’une diode (N+ / P-) abrupte
- Proche du dispositif réalisé à l'AIME
2e phase :
- Les étudiants traitent la simulation technologique du composant
- La réalisation se fait en plusieurs étapes : dépôt d’oxyde, gravure de l’oxyde, implantation
- Recuit d’implantation et dépôt des contacts d’anode et de cathode
Environnement
Prise en main du logiciel ATLAS
Simulation électrique
But : compréhension du fonctionnement électrique d'une diode.
Caractéristiques de la jonction à l'équilibre :
- Choix du maillage
- Structure de bande au niveau de la jonction
- Répartition des porteurs libres dans la structure
- Évolution du champ électrique
Et aussi… Étude de la jonction hors équilibre également réalisée.
Utilisation du module ATHENA
Simulation Technologique
But : illustrer quelques étapes de fabrication d'une diode.
Les étapes technologiques simulées :
- Croissance d'une couche d'oxyde
- Gravure de la couche d'oxyde
- Diffusion des dopants
Simulation complète de la diode
Conclusion
Ce travail de TER aborde de manière très simple la simulation électrique et la simulation technologique d'une diode.