Contact

  • Henri Happy
  • Virginie Hoël
  • Jacques Degauque (AIME Toulouse)

Cet outil de simulation permet d’aborder la modélisation physique et technologique (gravure, dépôt, implantation ionique, diffusion, oxydation, épitaxie…) des composants à base de matériaux semi-conducteurs.

Sur la base de cet outil, de nombreux travaux pratiques sont proposés aux étudiants :

  • Simulation (électrique et/ou technologique) d'une jonction: Jonction PN, Jonction Schottky
  • Simulation (électrique et/ou technologique) d'une capacité MOS
  • Simulation (électrique et/ou technologique) d'un transistor MOS
  • Simulation mixte (technologie/circuit) de dispositifs (cellule CMOS, oscillateur…)
  • Simulation d'un transistor MESFET sur substrat GaAs

 

Méthodologie

1ère phase :

  • Familiarisation avec l’outil logiciel SILVACO
  • Validation de la programmation à l’aide de briques de bases
  • Simulation électrique d'une structure idéale d’une diode (N+ / P-) abrupte
  • Proche du dispositif réalisé à l'AIME

2e phase :

  • Les étudiants traitent la simulation technologique du composant
  • La réalisation se fait en plusieurs étapes : dépôt d’oxyde, gravure de l’oxyde, implantation
  • Recuit d’implantation et dépôt des contacts d’anode et de cathode

 

Environnement

Salle CAO - Bât. P3 USTL
Salle CAO

 

Prise en main du logiciel ATLAS

Simulation électrique

But : compréhension du fonctionnement électrique d'une diode.

Logiciel ATLAS

Définition de la structure du composant et vérification du dopage.

Logiciel ATLAS

Caractéristiques de la jonction à l'équilibre :

  • Choix du maillage
  • Structure de bande au niveau de la jonction
  • Répartition des porteurs libres dans la structure
  • Évolution du champ électrique

Et aussi… Étude de la jonction hors équilibre également réalisée.

 

Utilisation du module ATHENA

Simulation Technologique

But : illustrer quelques étapes de fabrication d'une diode.

Module ATHENA

Les étapes technologiques simulées :

  • Croissance d'une couche d'oxyde
  • Gravure de la couche d'oxyde
  • Diffusion des dopants
Module ATHENA

Les étapes technologiques simulées :

  • Recuit de diffusion
  • Gravure du masque d'oxyde

 

Simulation complète de la diode

Simulation de la diode
Simulation de la diode

 

Conclusion

Ce travail de TER aborde de manière très simple la simulation électrique et la simulation technologique d'une diode.