Fabrication de transistors de type MESFET

Objectif

L'objectif du TP porte sur la réalisation de transistors à effet de champ de type MESFET :

• Sensibilisation des étudiants à l'environnement de salle blanche
• Mise en évidence des problèmes liés à la réalisation des composants
• Aborder la caractérisation sous pointes - statique et hyperfréquence (0,1-20,1 GHz) des dispositifs actifs

Ce stage de sensibilisation aux problèmes liés à la réalisation des composants en salle blanche est très apprécié des étudiants. Il permet d'aborder les différents aspects de l'industrie de la microélectronique : conception, la réalisation et la caractérisation. La manipulation du banc de mesure hyperfréquence sous pointes est aussi une expérience particulièrement appréciée des professionnels de la microélectronique.

Niveaux

Initiation

Caractérisation échelle de résistance

Généralistes

Caractérisation statique sous pointe du transistor

Spécialistes

Caractérisation hyperfréquence sous pointes du transistor [0,1 - 20,1 GHZ]